而燒結(jié)技術(shù)通過(guò)高溫使AS9330表面原子互相擴(kuò)散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過(guò)程，也稱之為“低溫?zé)Y(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)大大提升了導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能，可滿足對(duì)于第三代半導(dǎo)體高功率器件的電子互聯(lián)應(yīng)用。

AS9330半燒結(jié)銀的 導(dǎo)熱系數(shù)范圍80W/mK-100W/ mK，在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內(nèi)電阻更低的熱阻（Rth）- 0.4K/W。

AS9330半燒結(jié)銀無(wú)需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫?zé)Y(jié)并且粘接力穩(wěn)定。剪切強(qiáng)度高達(dá)45MPA。