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更新時(shí)間:2025-09-30 [舉報(bào)]
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單晶爐簡(jiǎn)介編輯/單晶爐是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。購(gòu)買技術(shù)主要要求1.單晶爐裝料量(單臺(tái)機(jī)產(chǎn)能多少) 2. 能拉多長(zhǎng)、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質(zhì)(少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯(cuò)密度) 5設(shè)備制造工藝控制保 6自動(dòng)化控制程度 7設(shè)備主要關(guān)鍵部件的配置等 。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收,多晶硅鑄錠爐回收,提拉式長(zhǎng)晶爐回收,多晶長(zhǎng)晶爐回收,臥式長(zhǎng)晶爐回收,拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,整個(gè)爐內(nèi)的一氧化硅與的混合氣體(包 括坩堝支持器下方的混合氣體)能通暢地排出爐外,整個(gè)爐內(nèi)不存在排氣 不暢的地方,即不存在排氣死角,既有效地防止了一氧化硅氣體對(duì)加熱器 和坩堝支持器等石墨器件的腐蝕,還可使吸附在這些石墨器件上的雜質(zhì)粉 塵減少30%以上,從而確保了該爐的使用壽命,使所述石墨器件的使用壽 命從原來(lái)的90爐次提高11G爐次以上,另外還可對(duì)硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程起 到穩(wěn)定作用,使平均成品率從原來(lái)的65%提高68%以上,并可提高單晶 的內(nèi)在質(zhì)量。本發(fā)明的氣流導(dǎo)向裝置的一對(duì)通氣孔與該爐的 一對(duì)排氣口相 對(duì)設(shè)置,縮短了排氣管路,利于提高排氣效率。
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江蘇高淳真空泵回收 江蘇高淳單晶爐回收直拉法,也叫切克勞斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法,用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單,容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,生產(chǎn),易于制備大直徑單晶,容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì),世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%~80%是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長(zhǎng)設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限,引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種,具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐(TDR85/95/105-JN)TDR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg~150Kg,可拉制6"~12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。
標(biāo)簽:單晶爐回收
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