當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品

Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。

一般來說，廢鉭材回收的主要步驟包括收集、分類、預(yù)處理、再生和再利用等環(huán)節(jié)。其中，預(yù)處理是一個關(guān)鍵步驟，它包括去除雜質(zhì)和清洗等過程，以使廢鉭材能被重新利用。