成都回收電池保護(hù)芯片 收購(gòu)鎧俠內(nèi)存

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先測(cè)試出可控硅的峰值電壓，將電線(xiàn)正負(fù)極連接至K兩極，接地線(xiàn)接至室內(nèi)主接地上，逐漸升壓，測(cè)試其漏電流數(shù)值。進(jìn)行漏電測(cè)試后，逐漸升壓，觀測(cè)漏電流，當(dāng)數(shù)值超過(guò)其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會(huì)破壞其PN結(jié)，并且只能測(cè)試其是否導(dǎo)通，而不能測(cè)試其導(dǎo)通是否良好，故不再采用此法進(jìn)行測(cè)試。搖表測(cè)試法用搖表對(duì)可控硅進(jìn)行測(cè)量，參照之前使用的漏電檢測(cè)法。為防止搖表法測(cè)試過(guò)程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對(duì)搖表電壓和轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，兩筆端鏈接K極對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。