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單晶爐熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與仿真單晶直徑在生長過程中可受到溫度，提拉速度與轉(zhuǎn)速，坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速，保護(hù)氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測(cè)才能獲知。溫度分布合適的熱場(chǎng)，不僅單晶生長順利，而且品質(zhì)較高；如果熱場(chǎng)的溫度分布不是很合理,生長單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。

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(4) 電氣硬件設(shè)置、本系統(tǒng)的電氣柜內(nèi)布局采用模塊化集中管理，各個(gè)模塊間連接簡單，單個(gè)模塊可以帶電維修，電機(jī)保護(hù)采用空氣開關(guān)和絲結(jié)合的方法便于操作和維護(hù)。同時(shí)主要的電氣點(diǎn)都能簡單的在端子板上查出。整個(gè)機(jī)箱布局合理，簡單。同時(shí)帶有雙色聲光報(bào)*燈進(jìn)行提示。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70％～80％是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動(dòng)晶體生長爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽能級(jí)單晶硅棒。