AS9330半燒結(jié)銀的 導(dǎo)熱系數(shù)范圍80W/mK-100W/ mK，在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內(nèi)電阻更低的熱阻（Rth）- 0.4K/W。

半燒結(jié)銀AS9330和普通銀材料相比有更全面的導(dǎo)熱和可操作性能 ，AS9330使用制程簡便，與普通導(dǎo)電銀膠工藝相似。

AS9330結(jié)合了性能、可靠性和可加工性。對于那些希望找到焊料的無鉛替代品（無需昂貴或復(fù)雜的加工，又能確保與傳統(tǒng)材料同等或更優(yōu)的性能）的封裝而言，AS9330燒結(jié)銀可以全面滿足他們的需求，同樣也為實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體功率的電子互聯(lián)提供很好解決方案。

半燒結(jié)銀AS9330的工藝流程如下：1 清潔芯片和被粘結(jié)的界面2 假設(shè)界面表面能太低，建議提高界面表面能.

通過以上步驟，可以降低芯片封裝納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率。

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