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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實(shí)現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。

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直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術(shù)：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導(dǎo)流筒，IO為爐底護(hù)盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內(nèi)不斷充入，并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合，由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，采用輻射管加熱，輻射管是由耐火陶瓷盤固定的電阻絲裝于一個密封耐熱鋼管中，這樣的結(jié)構(gòu)使?fàn)t內(nèi)氣氛對加熱元件不會有影響） 連續(xù)式電阻爐A． 推送式爐 B． 傳送帶式爐 C． 網(wǎng)帶爐（適用于薄小零件的退火、燒結(jié)、釬焊及固溶處理。結(jié)構(gòu)類似傳送帶式爐）D． 連續(xù)式轉(zhuǎn)筒爐 E． 輥底爐（料盤在輥?zhàn)由线\(yùn)動）F． 轉(zhuǎn)底爐,