金鹽回收中的壓擠壓技術(shù)
高壓處理電子廢料實(shí)現(xiàn)金屬解離：

設(shè)備參數(shù)
壓力：5-8 GPa（相當(dāng)于地核壓力）

沖頭速度：1-2 mm/s

模具材料：硬質(zhì)合金（HV>2000）

解離效果
物料 解離度 金裸露率
手機(jī)主板 95% 90%
CPU芯片 85% 75%
后續(xù)處理：

氣流分選（密度差異）

靜電分離（導(dǎo)電性差異）

優(yōu)勢(shì)：

無(wú)化學(xué)試劑添加

處理速度200 kg/h

金鹽回收中的選擇性氯化技術(shù)
選擇性氯化法適用于處理含金電子廢料（如PCB），其核心是通過(guò)控制氯氣濃度和溫度實(shí)現(xiàn)金的揮發(fā)：

反應(yīng)機(jī)理
氯化揮發(fā)：2Au + 3Cl? → 2AuCl?（g）（沸點(diǎn)254°C）

雜質(zhì)抑制：Cu、Fe等生成固態(tài)氯化物殘留

工藝參數(shù)優(yōu)化
參數(shù) 佳范圍 作用機(jī)制
溫度 450-500°C 平衡揮發(fā)速率與能耗
Cl?濃度 30-50 vol% 避免過(guò)量腐蝕設(shè)備
載氣流速 0.8-1.2 L/min 確保氣態(tài)AuCl?充分帶出
工業(yè)案例：

日本DOWA的流化床氯化系統(tǒng)：處理含金0.2%的電子廢料，回收率>99%

兩級(jí)冷凝設(shè)計(jì)：200°C（收集AuCl?），二級(jí)50°C（捕集Hg/Pb氯化物）

挑戰(zhàn)：

設(shè)備需采用哈氏合金C276（耐氯腐蝕）

尾氣需堿洗+活性炭吸附處理

金鹽回收中的氧化技術(shù)
處理含氰廢水的深度氧化方案：

1. 臭氧催化氧化
催化劑：MnO?/Al?O?（比表面積180 m2/g）

動(dòng)力學(xué)：

CN? + O? → CNO? + O?（k=3.2×103 M?1s?1）

終產(chǎn)物為CO?和N?（無(wú)二次污染）

2. 電化學(xué)氧化
陽(yáng)極材料：BDD（摻硼金剛石）

操作條件：

電流密度100 A/m2

極板間距10 mm

處理效果：

CN?<0.1 mg/L（達(dá)標(biāo)排放）

能耗8 kWh/kg CN?

經(jīng)濟(jì)性對(duì)比
技術(shù) 投資成本($/t) 運(yùn)行成本($/m3)
堿性氯化法 50,000 1.2
臭氧氧化 120,000 0.8
電化學(xué)氧化 80,000 0.6