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AS9335碳化硅燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-10-09 [舉報(bào)]
IGBT應(yīng)用和有壓燒結(jié)銀工藝流程介紹

當(dāng)前功率半導(dǎo)體行業(yè)正在面臨SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)崛起,隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的增量放大,消費(fèi)者對(duì)汽車的高續(xù)航、超快充等要求越來越高,電力電子模塊的功率密度、工作溫度及可靠性的要求也在越來越復(fù)雜,封裝成了提升可靠性和性能的關(guān)鍵。封裝是承載器件的載體,也是SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。

當(dāng)下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進(jìn)一步提升,現(xiàn)有的小面積接合技術(shù)已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此,若能使用善仁新材的燒結(jié)銀實(shí)現(xiàn)更大面積的封裝互連,則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。

善仁燒結(jié)銀在提高電子設(shè)備性能、降低成本、增強(qiáng)可靠性和促進(jìn)規(guī)模化生產(chǎn)方面的重要作用。通過不斷創(chuàng)新和應(yīng)用,善仁燒結(jié)銀技術(shù)正在推動(dòng)電子行業(yè)的發(fā)展,滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求?

標(biāo)簽:碳化硅燒結(jié)銀深紫外燒結(jié)銀
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