【納米壓痕測(cè)試】
服務(wù)背景：隨著MEMS器件和納米涂層廣泛應(yīng)用，傳統(tǒng)力學(xué)測(cè)試無(wú)法滿足微區(qū)性能評(píng)估需求。
檢測(cè)重要性：直接獲取薄膜/涂層的硬度、彈性模量，預(yù)防芯片封裝分層失效。
檢測(cè)周期：3-5個(gè)工作日（含制樣）。

廣電計(jì)量能力：
1、配備的納米壓痕儀，載荷分辨率1nN；
2、完成某GPU散熱涂層測(cè)試（硬度8.2±0.3GPa，模量120±5GPa）；

廣電計(jì)量是一家全國(guó)布局、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，技術(shù)服務(wù)保障網(wǎng)絡(luò)覆蓋全國(guó)，化學(xué)分析實(shí)驗(yàn)室分布在廣州、無(wú)錫、上海、天津、重慶等五地，方便客戶就近檢測(cè)服務(wù)。

【吡啶紅外測(cè)試】
背景：1960年代Parry發(fā)現(xiàn)吡啶與酸位點(diǎn)特征譜帶關(guān)聯(lián)，成為固體酸催化劑表征金標(biāo)準(zhǔn)。
重要性：調(diào)控催化劑酸性可提升石油裂解選擇性，減少結(jié)焦副反應(yīng)。
產(chǎn)品類型：FCC催化劑、ZSM-5分子篩、磺化樹(shù)脂。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：ASTM D7466（酸量計(jì)算）。

廣電計(jì)量能力：
1、Thermo Nicolet iS50 FTIR配備高溫原位池；
2、定量分析B酸/L酸比例（誤差＜5%）；


【導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試】
背景：隨著5G芯片功率密度提升，熱管理材料性能評(píng)估需求爆發(fā)式增長(zhǎng)。
重要性：導(dǎo)熱系數(shù)是散熱器選型的核心參數(shù)，偏差10%可導(dǎo)致器件壽命減半。
產(chǎn)品類型：氮化鋁陶瓷、熱界面材料、碳化硅復(fù)合材料。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：ASTM E1461（激光閃射法）、ISO 22007-4（熱流計(jì)法）。

廣電計(jì)量能力：
1、德國(guó)NETZSCH LFA 467 HyperFlash?，溫度范圍-100~1100℃；
2、各向異性材料三維導(dǎo)熱分析；
3、動(dòng)力電池包導(dǎo)熱膠測(cè)試精度±3%。