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根據(jù)權利要求4所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于所述氣流 導向裝置(20)的上端部(2-4)的外壁與該爐的保溫筒(17)密封連接。6、 根據(jù)權利要求5所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于所述氣流 導向裝置(20)各通氣孔(2-3)與該爐的排氣口 (13)通過通氣管(19) 相連通。7、 根據(jù)權利要求6所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于所述氣流 導向裝置(20)由石墨制成。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時排出爐內(nèi)的混合氣體，且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長爐。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術方案是提供一種直拉式單晶生長爐，其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術方案中，還包括設于直拉式單晶生長爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導向裝置；該氣流導向裝置為碗形，其包括 設于氣流導向裝置底部的中軸孔、設于所述中軸孔兩側(cè)的 一對電極孔、 以及設于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對的通氣孔；該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導向裝置的中軸孔，該爐的 一對電極柱分別穿過所述電極 孔，該爐的排氣口與氣流導向裝置的各通氣孔相連通，氣流導向裝置的上 端部設于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。

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專利文獻CN1205362C公開了 一種直拉硅單晶爐熱場的氣流控制方 法及裝置，其包括在單晶爐晶體生長室內(nèi)的石墨加熱器和保溫筒間裝有密 封導氣裝置，使含有一氧化硅的氣體的氣流經(jīng)密封導氣裝置的導氣管 及排氣口，在真空泵的作用下，排出爐外。密封導氣管裝置由導氣管、底 座、密封環(huán)、排氣口所組成，安裝在石墨加熱器和保溫筒之間。上述現(xiàn)有技術的不足之處在于單晶爐的坩堝支持器下方的混合氣體 不能有效的排出，從而使混合氣體中的一氧化硅對加熱器和坩堝進行腐蝕， 影響單晶爐的使用壽命。且其向爐內(nèi)充入時的充氣氣壓在1. 3xi0a 以上，導致其流量較大，故而消耗量大，生產(chǎn)成本較高。