全球及中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀動態(tài)與前景發(fā)展趨勢預測報告2025-2030年
【報告編號】: 451453
【出版時間】:
2025年4月
【出版機構】: 中研智業(yè)研究院
【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞
【報告價格】:【紙質(zhì)版】:6500元 【電子版】:
6800元 【紙質(zhì)+電子】: 7000元
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【報告目錄】

——綜述篇——
第1章：氮化鎵（GaN）綜述/產(chǎn)業(yè)畫像/數(shù)據(jù)說明
1.1 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)綜述
1.1.1
氮化鎵（GaN）的界定
1.1.2 氮化鎵（GaN）的分類
1.1.3 氮化鎵（GaN）所處行業(yè)
1.1.4
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)監(jiān)管
1.1.5 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)標準
1.2 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)畫像
1.2.1
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈結構梳理
1.2.2 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)全景圖譜
1.2.3 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈區(qū)域熱力圖
1.3
本報告數(shù)據(jù)來源及統(tǒng)計標準說明
1.3.1 本報告研究范圍界定
1.1.4 本報告研究范圍界定
1.3.2 本報告數(shù)據(jù)來源
1.3.3
研究方法及統(tǒng)計標準
——現(xiàn)狀篇——
第2章：全球氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
2.1 全球氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
2.2
全球氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
2.2.1 全球氮化鎵（GaN）技術研發(fā)進展
2.2.2
全球氮化鎵（GaN）細分市場概況
1、GaN襯底
2、GaN外延片
3、GaN器件
2.2.3
全球氮化鎵（GaN）主要下游應用
1、微波射頻應用前景
2、電力電子應用前景
3、光電器件應用前景
2.3
全球氮化鎵（GaN）市場規(guī)模體量
2.4 全球氮化鎵（GaN）市場競爭格局
2.4.1 全球氮化鎵（GaN）市場競爭格局
2.4.2
全球氮化鎵（GaN）市場集中度
2.4.3 全球氮化鎵（GaN）并購交易
2.5 全球氮化鎵（GaN）區(qū)域發(fā)展格局
2.5.1
全球氮化鎵（GaN）區(qū)域格局
2.5.2 全球氮化鎵（GaN）貿(mào)易關系
2.5.3 全球氮化鎵（GaN）貿(mào)易流向
2.6
國外氮化鎵（GaN）發(fā)展經(jīng)驗借鑒
2.6.1 國外氮化鎵（GaN）發(fā)展經(jīng)驗借鑒
2.6.2
區(qū)域市場：美國
1、美國氮化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀
2、美國氮化鎵行業(yè)企業(yè)現(xiàn)狀
3、美國氮化鎵行業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.6.3
區(qū)域市場：歐洲
1、歐洲氮化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀
2、歐洲氮化鎵行業(yè)企業(yè)現(xiàn)狀
3、歐洲氮化鎵行業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.6.4
區(qū)域市場：日本
1、日本氮化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀
2、日本氮化鎵行業(yè)企業(yè)現(xiàn)狀
3、日本氮化鎵行業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.7
全球氮化鎵（GaN）市場前景預測
2.8 全球氮化鎵（GaN）發(fā)展趨勢洞悉
第3章：中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
3.1
中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.1 中國三代半導體材料發(fā)展歷程
3.1.2 中國氮化鎵（GaN）發(fā)展歷程
3.2
中國氮化鎵（GaN）市場主體分析
3.2.1 氮化鎵（GaN）市場參與者類型
3.2.2 氮化鎵（GaN）企業(yè)數(shù)量/名單
3.2.3
氮化鎵（GaN）企業(yè)入場方式
3.2.4 氮化鎵（GaN）企業(yè)入場進程
3.3 中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)經(jīng)營模式
3.3.1
IDM模式（設計制造一體）
3.3.2 Fabless模式（設計）
3.3.3 Foundry模式（代工）
3.4
中國氮化鎵（GaN）市場供給/生產(chǎn)
3.4.1 氮化鎵（GaN）主要企業(yè)布局
3.4.2
氮化鎵（GaN）產(chǎn)能投資/項目
1、項目投資概況
2、產(chǎn)能建設項目
3.4.3
氮化鎵（GaN）生產(chǎn)能力/產(chǎn)能
1、現(xiàn)有產(chǎn)能統(tǒng)計
2、預期新增產(chǎn)能
3.4.4 氮化鎵（GaN）生產(chǎn)情況/產(chǎn)量
3.5
中國氮化鎵（GaN）對外貿(mào)易狀況
3.5.1 氮化鎵（GaN）適用海關HS編碼
3.5.2 氮化鎵（GaN）對外貿(mào)易概況
3.5.3
氮化鎵（GaN）進口貿(mào)易概況
3.5.4 氮化鎵（GaN）出口貿(mào)易概況
3.6 中國氮化鎵（GaN）市場需求/銷售
3.6.1
氮化鎵（GaN）市場銷售模式
3.6.2 氮化鎵（GaN）市場需求特征
3.6.3 氮化鎵（GaN）市場需求現(xiàn)狀
3.6.4
氮化鎵（GaN）市場供求關系
3.6.5 氮化鎵（GaN）市場價格水平
3.7 中國氮化鎵（GaN）采購招標情況
3.7.1
氮化鎵（GaN）客戶采購模式
3.7.2 氮化鎵（GaN）的招投標統(tǒng)計
3.7.3 氮化鎵（GaN）的招投標分析
3.8
中國氮化鎵（GaN）市場規(guī)模體量
3.9 中國氮化鎵（GaN）市場競爭態(tài)勢
3.9.1 氮化鎵（GaN）同業(yè)競爭程度
3.9.2
氮化鎵（GaN）市場競爭格局
3.9.3 氮化鎵（GaN）市場集中度
3.9.4 氮化鎵（GaN）外企在華布局
3.9.5
氮化鎵（GaN）國產(chǎn)替代空間
3.10 中國氮化鎵（GaN）投融資及熱門賽道
3.10.1 氮化鎵（GaN）企業(yè)融資渠道
3.10.2
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)兼并重組
3.10.3 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)融資動態(tài)
3.11
中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展痛點問題
第4章：中國GaN外延生長及GaN襯底制備工藝
4.1 氮化鎵（GaN）競爭壁壘
4.1.1
氮化鎵（GaN）核心競爭力/護城河
4.1.2 氮化鎵（GaN）進入壁壘/競爭壁壘
1、技術壁壘
2、認證壁壘
4.1.3
氮化鎵（GaN）潛在進入者的威脅
4.2 氮化鎵（GaN）技術研發(fā)
4.2.1 氮化鎵（GaN）技術研發(fā)現(xiàn)狀
4.2.2
氮化鎵（GaN）專利申請狀況
4.2.3 氮化鎵（GaN）科研創(chuàng)新動態(tài)
4.2.4 氮化鎵（GaN）技術研發(fā)方向/未來研究
4.3
氮化鎵（GaN）器件成本結構
4.3.1 氮化鎵（GaN）器件技術路線
1、平面型GaN器件
2、垂直型GaN器件
4.3.2
氮化鎵（GaN）器件生產(chǎn)流程
4.3.3 GaN HEMT器件制備工藝流程
4.3.4 氮化鎵（GaN）器件成本結構
4.3.5
氮化鎵（GaN）器件成本控制
4.4 氮化鎵（GaN）器件襯底材料
4.4.1 氮化鎵（GaN）器件的襯底材料類型及價格波動
4.4.2
氮化鎵（GaN）器件的襯底材料自主化供應現(xiàn)狀
4.4.3 襯底材料市場概況——氮化鎵（GaN）
4.4.4
襯底材料市場概況——碳化硅（SiC）
4.4.5 襯底材料市場概況——碳（Si）
4.4.6 襯底材料市場概況——藍寶石（Al2O3）
4.5
氮化鎵（GaN）外延生長工藝
4.5.1
單晶GaN薄膜制備工藝
1、金屬有機物氣相外延（MOVPE）
2、MBE法（分子束外延法）
3、HVPE（氫化物氣相外延法）
4、三鹵化物氣相外延（THVPE）
5、氨熱法
6、助溶劑法
4.5.2
納米氮化鎵制備工藝
1、溶膠凝膠法（sol-gel）法
2、化學氣相沉積法
3、無機熱熔法
4.5.3
氮化嫁襯底同質(zhì)外延/異質(zhì)外延
4.5.4 氮化嫁襯底外延工藝流程步驟
4.6 氮化鎵（GaN）外延片市場概況
4.6.1
氮化鎵（GaN）外延片制造流程
4.6.2 氮化鎵（GaN）外延片市場概況
4.6.3 氮化鎵（GaN）外延片供應商格局
4.6.4
氮化鎵（GaN）外延片國產(chǎn)化進程
4.7 氮化鎵（GaN）外延片細分產(chǎn)品
4.7.1 氮化鎵基氮化鎵（GaN-on-GaN）
4.7.2
硅基氮化鎵（GaN-on-Si）
4.7.3 碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）
4.7.4
藍寶石基氮化鎵（GaN-on-sapphire）
4.8 氮化鎵（GaN）生產(chǎn)設備
4.8.1 氮化鎵（GaN）產(chǎn)線生產(chǎn)設備組成
4.8.2
氮化鎵（GaN）生產(chǎn)設備市場概況及供應商
1、氮化鎵（GaN）生產(chǎn)設備市場概況
2、氮化鎵（GaN）生產(chǎn)設備供應格局
3、氮化鎵（GaN）關鍵設備國產(chǎn)化進程
4.9
氮化鎵（GaN）供應鏈管理及面臨挑戰(zhàn)
第5章：中國GaN晶圓制造及封裝測試市場分析
5.1 氮化鎵（GaN）設計、制造及封測概況
5.1.1
GaN材料/器件的替代品威脅
5.1.2 中國GaN芯片設計、制造及封測市場概況
5.1.3 中國GaN芯片設計、制造及封測競爭格局
5.2
氮化鎵（GaN）設計
5.2.1 GaN芯片設計概述
5.2.2 GaN芯片設計市場概況
5.2.3 GaN芯片設計競爭格局
5.3
氮化鎵（GaN）晶圓
5.3.1 GaN晶圓制造/代工概述
5.3.2
GaN晶圓制造/代工市場概況
1、產(chǎn)能情況
2、產(chǎn)值情況
5.3.3 GaN晶圓制造/代工競爭格局
5.4
氮化鎵（GaN）封裝
5.4.1 GaN封裝工藝概述
5.4.2 GaN封裝：晶體管封裝
5.4.3
GaN封裝：系統(tǒng)級封裝（SiP）
5.4.4 GaN封裝：系統(tǒng)芯片封裝（SoC）
5.4.5 GaN封裝：模塊化封裝
5.4.6
GaN封裝企業(yè)格局
5.5 氮化鎵（GaN）測試
5.5.1 GaN測試概述
5.5.2 CP測試
5.5.3
FT/測試
5.5.4 GaN測試企業(yè)格局
5.6
氮化鎵（GaN）細分市場戰(zhàn)略地位分析
第6章：中國GaN器件集成及終端應用需求分析
6.1 氮化鎵（GaN）應用分布
6.1.1
氮化鎵（GaN）器件應用方向
6.1.2 氮化鎵和碳化硅潛在競爭領域
6.1.3 氮化鎵（GaN）器件應用分布
6.2
GaN功率器件產(chǎn)品及應用
6.2.1 氮化鎵GaN晶體管概述
1、GaN HEMT高電子遷移率晶體管
2、GaN
FET氮化鎵場效應晶體管
3、GaN MOSFETs
6.2.2 GaN功率器件制造現(xiàn)狀
6.2.3 GaN功率器件企業(yè)格局
6.2.4
GaN功率器件應用分布
6.2.4 GaN功率器件主要應用：氮化鎵手機充電器
6.2.5
GaN功率器件主要應用：新能源汽車（氮化鎵車載快充）
6.2.6 GaN功率器件主要應用：數(shù)據(jù)中心
6.3
GaN射頻器件產(chǎn)品及應用
6.3.1 GaN射頻器件概述
6.3.2 GaN射頻器件制造現(xiàn)狀
6.3.3
GaN射頻器件企業(yè)格局
6.3.4 GaN射頻器件應用分布
6.3.5 GaN射頻器件主要應用：5G基站
6.3.6
GaN射頻器件主要應用：航空航天
6.4 GaN光電器件產(chǎn)品及應用
6.4.1 GaN光電器件概述
6.4.2
GaN光電器件制造現(xiàn)狀
6.4.3 GaN光電器件企業(yè)格局
6.4.4 GaN光電器件應用分布
6.4.5
GaN光電器件主要應用：LED照明
6.4.5 GaN光電器件主要應用：Mini-LED和Micro-LED
6.4.6
GaN光電器件主要應用：激光顯示
6.4.8 GaN光電器件主要應用：消毒殺菌
6.5
氮化鎵（GaN）細分應用市場戰(zhàn)略地位分析
第7章：全球及中國氮化鎵（GaN）企業(yè)案例解析
7.1
全球及中國氮化鎵（GaN）企業(yè)梳理對比
7.2 全球氮化鎵（GaN）企業(yè)案例分析（不分先后，可）
7.2.1
Wolfspeed（科銳Cree）
1、企業(yè)基本信息
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、氮化鎵（GaN）業(yè)務布局
4、氮化鎵（GaN）在華布局
7.2.2
住友電工
1、企業(yè)基本信息
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、氮化鎵（GaN）業(yè)務布局
4、氮化鎵（GaN）在華布局
7.2.3
納微半導體（Navitas）
1、企業(yè)基本信息
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、氮化鎵（GaN）業(yè)務布局
4、氮化鎵（GaN）在華布局
7.2.4
威訊聯(lián)合半導體（Qorvo）
1、企業(yè)基本信息
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、氮化鎵（GaN）業(yè)務布局
4、氮化鎵（GaN）在華布局
7.2.5
英飛凌（Infineon）
1、企業(yè)基本信息
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、氮化鎵（GaN）業(yè)務布局
4、氮化鎵（GaN）在華布局
7.3
中國氮化鎵（GaN）企業(yè)案例分析（不分先后，可）
7.3.1
三安光電股份有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.2
英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.3
蘇州能訊高能半導體有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.4
成都海威華芯科技有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.5
華潤微電子有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.6
聚燦光電科技股份有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.7
華燦光電股份有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.8
聞泰科技股份有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.9
江蘇鎵宏半導體有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
7.3.10
上海新微半導體有限公司
1、企業(yè)基本信息
（1）發(fā)展歷程
（2）基本信息
（3）經(jīng)營范圍及主營業(yè)務
2、企業(yè)經(jīng)營情況
3、企業(yè)資質(zhì)能力
4、氮化鎵（GaN）專利技術
5、氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
6、氮化鎵（GaN）應用場景
7、企業(yè)業(yè)務布局戰(zhàn)略&優(yōu)劣勢
——展望篇——
第8章：中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境及發(fā)展?jié)摿?br/>8.1
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)政策匯總解讀
8.1.1 中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)政策匯總
8.1.2 中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.1.3
中國氮化鎵（GaN）政策解讀
8.2 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)PEST分析圖
8.3 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)SWOT分析圖
8.4
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿υu估
8.4.1 行業(yè)所處生命周期階段識別
8.4.2
行業(yè)發(fā)展驅動與制約因素總結
1、行業(yè)發(fā)展驅動因素
2、行業(yè)發(fā)展的制約因素
8.4.3 行業(yè)發(fā)展?jié)摿υu估
8.5
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)未來關鍵增長點
8.6 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景預測
8.7 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢洞悉
8.7.1
整體發(fā)展趨勢
8.7.2 監(jiān)管規(guī)范趨勢
8.7.3 技術創(chuàng)新趨勢
8.7.4 細分市場趨勢
8.7.5 市場競爭趨勢
8.7.6
市場供需趨勢
第9章：中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)投資機會及策略建議
9.1 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)投資風險預警
9.1.1
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)投資風險預警
9.1.2 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)投資風險應對
9.2 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)投資機會分析
9.2.1
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)投資機會
9.2.2 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)細分領域投資機會
9.2.3
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)區(qū)域市場投資機會
9.2.4 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)空白點投資機會
9.3 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)投資價值評估
9.4
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)投資策略建議
9.5
氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展建議
圖表目錄
圖表1：氮化鎵（GaN）的基本信息
圖表2：氮化鎵（GaN）的性能特征
圖表3：主要半導體材料的性能對比（單位：ev，×10-7cm/s，W/cm·K等）
圖表4：氮化鎵（GaN）的分類
圖表5：氮化鎵（GaN）所處行業(yè)
圖表6：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)所屬的國民經(jīng)濟分類
圖表7：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)監(jiān)管
圖表8：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)監(jiān)管體系及機構介紹
圖表9：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)標準
圖表10：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)現(xiàn)行標準匯總
圖表11：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)即將實施標準匯總
圖表12：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈結構圖
圖表13：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈結構
圖表14：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)全景圖譜
圖表15：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈區(qū)域熱力圖
圖表16：中國氮化鎵（GaN）企業(yè)分布地圖
圖表17：報告研究范圍界定