蘇州相城控制柜回收 蘇州相城單晶爐回收
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排氣筒與排氣口相通。上盤(pán)的幾個(gè)圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤(pán)12 個(gè)圓孔排出去之前，實(shí)際的氣流運(yùn)動(dòng)是很復(fù)雜的。除切向和軸向運(yùn)動(dòng)外還有徑向運(yùn)動(dòng)。這樣含塵氣流會(huì)反復(fù)經(jīng)過(guò)金屬網(wǎng)(支撐內(nèi)、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯(cuò)列，很明顯能夠增加氣流穿過(guò)金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細(xì)論過(guò)除塵機(jī)理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴(kuò)散在這時(shí)將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內(nèi)、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤(pán)在內(nèi))。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，離線裝料技術(shù)在直拉法硅單晶生產(chǎn)中的應(yīng)用\引言直拉法(CZ)生產(chǎn)單晶硅是目前制備單晶硅的主要方法。在單晶生產(chǎn)過(guò)程中,傳統(tǒng)裝料方法為爐前裝料,即,以人工方式在單晶爐前將固態(tài)多晶硅料一塊塊地從爐體外轉(zhuǎn)移到石英坩堝內(nèi),再進(jìn)行合爐、真空檢漏[1]。整個(gè)過(guò)程非常緩慢,而且裝料過(guò)程中要避免硅料碎屑落入熱場(chǎng)內(nèi),裝料時(shí)間(清爐結(jié)束到合爐)約為2h,操作起來(lái)較繁瑣。此外,裝料工工作量不飽和,存在人力浪費(fèi)現(xiàn)象;在車(chē)間內(nèi)部裝料過(guò)程中涉及環(huán)節(jié)較多,硅料的潔凈度存在質(zhì)量隱患,不能確保硅棒的產(chǎn)品質(zhì)量[2]。隨著光伏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日趨激烈,追求低成本和率成為每一個(gè)企業(yè)市場(chǎng)的逐勝之道。

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所述氣流導(dǎo)向裝置20的中軸孔2-1與該爐的石墨中軸21活 動(dòng)密封連接，以防止因該中軸孔2-1與石墨中軸21之間的間隙而漏氣，影 響排氣效果，氣流導(dǎo)向裝置20的電極孔2-2分別與該爐的電極柱15密封連 接，以防止因該電極孔2-2與電極柱15之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的保溫 筒17密封連接，以防止因氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的 保溫筒17之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20各通氣孔2-3與該爐的排氣口 13通過(guò)通 氣管19相連通，以提高排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20由石墨制成，石墨具有強(qiáng)度高、抗熱震性好、耐 高溫、抗氧化、電阻系數(shù)小、耐腐蝕、易于精密機(jī)加工等優(yōu)點(diǎn)。