目前盡可能從機(jī)械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。

個難題：燒結(jié)銀膏技術(shù)
在芯片與基板的連接中，傳統(tǒng)有基板焊接功率模塊中，焊接連接往往是模塊上的機(jī)械薄弱點(diǎn)。

由于材料的熱膨脹系數(shù)不同、高溫波動和運(yùn)行過程中的過度負(fù)載循環(huán)將導(dǎo)致焊料層疲勞，影響寬禁帶半導(dǎo)體模塊的可靠性。

目前，銀燒結(jié)技術(shù)成為國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)中應(yīng)用為廣泛的技術(shù)，美國、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。

連接溫度和輔助壓力均有明顯下降，擴(kuò)大了工藝的使用范圍。在銀燒結(jié)技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，

在銀燒結(jié)技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，需要在基板裸銅表面先鍍鎳再鍍金或鍍銀，同時燒結(jié)溫度控制和壓力控制也是影響功率模組質(zhì)量的關(guān)鍵因素。