大面積燒結(jié)銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的
傳統(tǒng)功率模塊中，芯片通常通過錫焊材料連接到基板。在熱循環(huán)過程中，連接界面通過形成金屬間化合物層形成芯片、錫焊料合金與基板的互聯(lián)

2018年標(biāo)志性的轉(zhuǎn)變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅(qū)逆變器中，為碳化硅技術(shù)在電動汽車中的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。此后，多家國內(nèi)新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應(yīng)用。新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，如800V高壓快充，以及新能源汽車市場的持續(xù)擴張，促進(jìn)了碳化硅的飛速發(fā)展。

隨著800V碳化硅技術(shù)日益普及，善仁新材的燒結(jié)銀技術(shù)為汽車電力電子產(chǎn)品封裝提供了革命性的解決方案，其應(yīng)用前景備受關(guān)注。

從2017年起，善仁新材在燒結(jié)銀材料的研發(fā)與生產(chǎn)方面走在行業(yè)，提供多款產(chǎn)品以適應(yīng)各種應(yīng)用場景。從AS9000系列銀墨水，到AS9100系列納米銀漿、再到AS9300系列燒結(jié)銀膏，善仁新材一直燒結(jié)銀的技術(shù)應(yīng)用，以滿足市場的多樣化需求。

AS9378燒結(jié)銀的低溫低壓燒結(jié)效果好：為了適應(yīng)大面積燒結(jié)，燒結(jié)銀膏需要較低的溫度和壓力下達(dá)到良好的燒結(jié)效果，同時需要確保燒結(jié)質(zhì)量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問題。

功率模塊封裝技術(shù)的重要趨勢之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品，特別是在電動車的應(yīng)用中。這導(dǎo)致了對能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求，例如銀燒結(jié)芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結(jié)構(gòu)化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。