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權利要求1、一種直拉式單晶生長爐,包括設于該爐頂部并伸入爐內的輸入管(12)、與輸入管(12)相連通的環(huán)形氣體分布器(11);其特征在于經輸入管(12)輸入的氣壓為0.8×10a0.9×10a,流量為30L/min。2、 根據權利要求1所述的直拉式單晶生長爐,其特征在于還包括 設于該爐的坩堝支持器(14)下方和該爐底部的排氣口 (13)之間的氣流 導向裝置(20);該氣流導向裝置(20)為碗形,其包括設于氣流導向裝 置(20)底部的中軸孔(2-1)、設于所述中軸孔(2-1)兩側的一對電 極孔(2-2)、以及設于所述中軸孔(2-1)兩側并與該爐的排氣口 (13)相 對的通氣孔(2-3);該爐的石墨中軸(21)
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上稱重傳感器用于晶棒直徑的輔助控制。伺服電機和步進電機的混合使用,即可滿足轉動所需的扭矩,又可實現轉速的控制。質量流量計控制流量。自主產權的控制軟件采用視窗平臺,操作方便簡潔直觀。多種曲線和數據交叉分析工具提供了工藝實時監(jiān)控的平臺。完整的工藝設定界面使計算機可以自動完成幾乎所有的工藝過程。加熱電源采用綠色縱向12脈沖直流電源。比傳統直流電源節(jié)能近15%。特殊的溫場設計使晶體提拉速度提高20-30%。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,單晶爐真空系統的除塵技術/單晶爐是單晶體生長設備。單晶體生長要求在真空和惰性氣體中進行。真空裝置應能保爐體內熱真空度達5×1024mm 柱以上。如果使用惰性氣體作保護氣氛,爐體上、下都設有進出氣的氣口。生長單晶體時,抽真空及真空裝置注入惰性氣體后都需配備除塵裝置。西安理工大學工廠生產的混合式除塵器較好地解決了這一問題。本廠單晶爐系列:TDR262A (B)、TDR280、TDR270A 等多種爐型近百臺產品都使用這種除塵器。實踐明,它的主要優(yōu)點是除塵,能適應不同抽氣階段真空度的要求,容塵量大。其具體結構見圖2、圖3。該除塵器綜合運用離心力、慣性碰撞、接觸阻留、擴散這幾種除塵機理。